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DF100R07W1H5FPB53BPSA2 Especificaciones técnicas

MOD DIODE BRIDGE EASY1B-2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 16 Weeks
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Series EasyPACK™
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 17 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 40 ns
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~150°C
Part Status Active
Number of Terminations 26
Terminal Position UPPER
JESD-30 Code R-XUFM-X26
Configuration 2 Independent
Power - Max 20mW
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 40μA
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 25A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
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Las siguientes partes incluyen  'DF100' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DF1000R17IE4 IGBT Module Módulos IGBT 2522
DF1000R17IE4BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2785
DF1000R17IE4BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
DF1000R17IE4DB2BOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2770
DF1000R17IE4DB2BOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
DF1000R17IE4D_B2 IGBT Module Módulos IGBT 2767
DF1000R17IE4PBPSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
DF1008N NIEC CIs Calientes Especializados 2772
DF100A120 SANREX Módulos IGBT 2500
DF100A1600V IGBT Module Módulos IGBT 2707

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