DD800S45KL3B5NPSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MOD 4500V 800A 1600W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 20 Weeks
Package / Case Module
Diode Element Material SILICON
Published 2002
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-PUFM-X4
Configuration 2 Independent
Case Connection ISOLATED
Output Current-Max 800A
Input Standard
Rep Pk Reverse Voltage-Max 4500V
Current - Collector (Ic) (Max) 800A
NTC Thermistor No
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -50°C~125°C
Part Status Active
Number of Terminations 4
Additional Feature UL APPROVED
Terminal Position UPPER
Reference Standard IEC-1287; IEC-61140
Number of Elements 2
Diode Type RECTIFIER DIODE
Power - Max 1600W
Application HIGH POWER MEDIUM VOLTAGE
Number of Phases 1
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 4500V
Forward Voltage-Max 3.1V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
DD800D17K3 MITSUBISH CIs Calientes Especializados 2887
DD800S17H4B2BOSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Diodos - Rectificadores - Matrices 2755
DD800S17H4_B2 IGBT Module Módulos IGBT 1341
DD800S17K3 EUPEC Módulos IGBT 2845
DD800S17K3-B2 EUPEC Módulos IGBT 1202
DD800S17K3_B2 International Rectifier (Infineon Technologies) Diodos - Rectificadores - Matrices 3016
DD800S17K3_B2 IGBT Module Módulos IGBT 2877
DD800S17K3_B2 Infineon Technologies Matriz de Diodos Rectificadores
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DD800S17K6CB2 IGBT Module Módulos IGBT 2918

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