BYM300B170DN2HOSA1 Especificaciones técnicas

MOD IGBT MED POWER 62MM-1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Screw
Package / Case Module
Diode Element Material SILICON
Published 2002
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 3
HTS Code 8541.10.00.80
Terminal Form UNSPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Qualification Status Not Qualified
Configuration 2 Independent
Diode Type RECTIFIER DIODE
Power - Max 20mW
Halogen Free Not Halogen Free
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1.7kV
Max Collector Current 300A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 25A
NTC Thermistor Yes
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Chassis Mount
Number of Pins 3
Operating Temperature -40°C~150°C TJ
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position UPPER
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Pin Count 3
Number of Elements 2
Element Configuration Single
Case Connection ISOLATED
Application GENERAL PURPOSE
Input Standard
Number of Phases 1
Current - Collector Cutoff (Max) 40μA
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
IGBT Type Trench Field Stop
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Lead Free Lead Free
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