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BSZ0909NSATMA1 Especificaciones técnicas

Single N-Channel 34 V 12 mOhm 13 nC OptiMOS? Power Mosfet - TSDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2013
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code S-PDSO-N5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 25W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12m Ω @ 20A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A Ta 36A Tc
Rise Time 2.2ns
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 2 ns
Continuous Drain Current (ID) 36A
Max Dual Supply Voltage 30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 144A
Avalanche Energy Rating (Eas) 9 mJ
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 4.5 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1310pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 34V
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.012Ohm
DS Breakdown Voltage-Min 34V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'BSZ09' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSZ0901NS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 191209
BSZ0901NS IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10432
BSZ0901NSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2723
BSZ0901NSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ0901NSI International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37322
BSZ0901NSI BSZ0901NS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2000
BSZ0901NSI BSZ0901NS MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2330
BSZ0901NSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2677
BSZ0901NSIATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ0902NS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37161

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