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BSZ0904NSIATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TSDSON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 18 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2010
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form NO LEAD
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.1W Ta 37W Tc
Power Dissipation 2.1W
Turn On Delay Time 3.3 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1463pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 3 ns
Continuous Drain Current (ID) 18A
Max Dual Supply Voltage 30V
Drain-source On Resistance-Max 0.0057Ohm
FET Feature Schottky Diode (Body)
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Powers
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-N3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A Ta 40A Tc
Rise Time 4.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 40A
Avalanche Energy Rating (Eas) 20 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSZ0901NS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 191209
BSZ0901NS IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10432
BSZ0901NSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2723
BSZ0901NSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ0901NSI International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37322
BSZ0901NSI BSZ0901NS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2000
BSZ0901NSI BSZ0901NS MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2330
BSZ0901NSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2677
BSZ0901NSIATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ0902NS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37161

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