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BSZ058N03MSGATMA1
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BSZ058N03MSGATMA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin TSDSON
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-N5 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.1W Ta 45W Tc |
Power Dissipation | 2.1W |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5m Ω @ 20A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A Ta 40A Tc |
Rise Time | 3.8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 40A |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 55 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 5 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 8 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 14A |
Max Dual Supply Voltage | 30V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0064Ohm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BSZ058N03MSGATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSZ058N03MSGATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSZ05" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSZ05'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSZ0500NSI | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 10093 |
BSZ0500NSIATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2536 |
BSZ0500NSIATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSZ0501NS | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2513 |
BSZ0501NSI | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1003 |
BSZ0501NSIATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2545 |
BSZ0501NSIATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSZ0502NS | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2728 |
BSZ0502NSI | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 300 |
BSZ0502NSIATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2507 |
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