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BSS119NH6327XTSA1
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BSS119NH6327XTSA1 Especificaciones técnicas
BSS119NH6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 500mW Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Turn On Delay Time | 2.7 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ω @ 190mA, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 190mA Ta |
Rise Time | 3.3ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 7 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 6Ohm |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Length | 2.9mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2002 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 500mW |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 13μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 20.9pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 18.8 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 190mA |
Max Dual Supply Voltage | 100V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 100V |
Height | 1.1mm |
Width | 1.3mm |
Lead Free | Lead Free |
BSS119NH6327XTSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSS119NH6327XTSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSS11" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSS11'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSS110 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2589 |
BSS110 | FSC | CIs Calientes Especializados | 2678 |
BSS110 MOS | CIs Calientes Especializados | 401 | |
BSS110-E6288 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 2540 |
BSS119 | I | CIs Calientes Especializados | 80893 |
BSS119 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 4021 |
BSS119 E6433 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2503 |
BSS119 E7796 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2648 |
BSS119 E7978 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2667 |
BSS119 L6327 | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 13064 |
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