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BSP315PH6327XTSA1
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BSP315PH6327XTSA1 Especificaciones técnicas
BSP315PH6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 1999 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 4 |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 4 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.8W |
Turn On Delay Time | 24 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800m Ω @ 1.17A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.17A Ta |
Rise Time | 9ns |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 19 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 1.17A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.8Ohm |
Dual Supply Voltage | -60V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
Height | 1.8mm |
Width | 6.7mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Manufacturer Package Identifier | PG-SOT223-4 |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Series | SIPMOS® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Termination | SMD/SMT |
Additional Feature | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1.8W Ta |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | P-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 160μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 32 ns |
Threshold Voltage | -1.5V |
Max Dual Supply Voltage | -60V |
Drain to Source Breakdown Voltage | -60V |
Recovery Time | 46 ns |
Nominal Vgs | -1.5 V |
Length | 6.5mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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Otros incluyen "BSP31" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSP31'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSP31 | NXP | CIs Calientes Especializados | 46292 |
BSP31,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2667 |
BSP31,115 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
BSP312 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 14580 |
BSP315 | Infineo | CIs Calientes Especializados | 45072 |
BSP315 E 6433 | SIMENS | CIs Calientes Especializados | 70370 |
BSP315 E6433 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 4302 |
BSP315E-6327 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 3422 |
BSP315P | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 58109 |
BSP315P E6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2383 |
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