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BSP135H6327XTSA1
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BSP135H6327XTSA1 Especificaciones técnicas
BSP135H6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 10 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Series | SIPMOS® |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 1.8W Ta |
Current | 12A |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 94μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 146pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.9nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 0V 10V |
Fall Time (Typ) | 182 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 120mA |
Max Dual Supply Voltage | 600V |
Recovery Time | 130 ns |
Height | 1.5mm |
Width | 3.5mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 4 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 4 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 4 |
Voltage | 600V |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 1.8W |
Turn On Delay Time | 5.4 ns |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 Ω @ 120mA, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120mA Ta |
Rise Time | 5.6ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 28 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 600V |
FET Feature | Depletion Mode |
Length | 6.5mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
BSP135H6327XTSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSP135H6327XTSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSP13" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSP13'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSP130 | NXP | CIs Calientes Especializados | 5487 |
BSP130 MOS | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 455 |
BSP130,115 | Nexperia | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2550 |
BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
BSP135 | Infineo | CIs Calientes Especializados | 5314 |
BSP135 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2508 |
BSP135 E6906 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2632 |
BSP135 H6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5248 |
BSP135 L6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 16199 |
BSP135 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 25241 |
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