BSM75GD60DLCBOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE 600V 95A 330W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X17
Configuration Full Bridge
Power - Max 330W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Turn On Time 90 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 205 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.3nF @ 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Part Status Last Time Buy
Number of Terminations 17
Terminal Position UPPER
Pin Count 17
Number of Elements 6
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 500μA
Current - Collector (Ic) (Max) 95A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 75A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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BSM756GD120 IGBT Module Módulos IGBT 2959
BSM75GAL100D EUPEC Módulos IGBT 2782
BSM75GAL120D EUPEC Módulos IGBT 2934
BSM75GAL120DLC IGBT Module Módulos IGBT 2585
BSM75GAL120DN2 Infineon Módulos IGBT 2726
BSM75GAL120DN2HOSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Módulos 2538
BSM75GAL120DN2HOSA1 Infineon Technologies Módulos IGBT
BSM75GAL123D Semikron CIs Calientes Especializados 2728
BSM75GAL60DLC EUPEC Módulos IGBT 2755
BSM75GAR120D EUPEC Módulos IGBT 2762

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