BSM200GB120DN2HOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1200V 290A 1400W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature 150°C TJ
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
Pin Count 7
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Transistor Application POWER CONTROL
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Turn On Time 190 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 630 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 13nF @ 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Half Bridge
Power - Max 1400W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 4mA
Current - Collector (Ic) (Max) 290A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'BSM20' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSM200CA120DN2SE3256 Original CIs Calientes Especializados 2845
BSM200GA100D EUPEC Módulos IGBT 2593
BSM200GA100DN1 EUPEC Módulos IGBT 2743
BSM200GA100DN11 SIEMENS Módulos IGBT 1298
BSM200GA120D SIEMENS Módulos IGBT 2253
BSM200GA120DLC IGBT Module Módulos IGBT 2971
BSM200GA120DLCFS-E3256 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2998
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