BSM100GB170DLCHOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MOD 1700V 200A 960W

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Módulos IGBT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Chassis Mount
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~125°C
Part Status Obsolete
Number of Terminations 7
Terminal Position UPPER
Reach Compliance Code compliant
JESD-30 Code R-XUFM-X7
Configuration Half Bridge
Power - Max 960W
Input Standard
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Turn On Time 200 ns
Turn Off Time-Nom (toff) 930 ns
Input Capacitance (Cies) @ Vce 7nF @ 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case Module
Transistor Element Material SILICON
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form UNSPECIFIED
Pin Count 7
Number of Elements 2
Case Connection ISOLATED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Current - Collector Cutoff (Max) 200μA
Current - Collector (Ic) (Max) 200A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor No
RoHS Status RoHS Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSM100D12PIC003 ROHM Módulos IGBT 2618
BSM100GA120DN11 EUPEC Módulos IGBT 2702
BSM100GA120DN2 EUPEC Módulos IGBT 2676
BSM100GAL100D EUPEC Módulos IGBT 2785
BSM100GAL120D EUPEC Módulos IGBT 2817
BSM100GAL120DLC EUPEC Módulos IGBT 2563
BSM100GAL120DLCK Infineon Módulos IGBT 2730
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