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BSC065N06LS5ATMA1
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BSC065N06LS5ATMA1 Especificaciones técnicas
BSC065N06LS5ATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Number of Channels | 1 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5m Ω @ 32A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 30V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Continuous Drain Current (ID) | 15A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0065Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 256A |
Height | 1.1mm |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Power Dissipation-Max | 46W Tc |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 5 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 20μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A Tc |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Turn-Off Delay Time | 14 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BSC065N06LS5ATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSC065N06LS5ATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSC06" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSC06'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSC0602NS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3978 |
BSC0603NS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 507 |
BSC060N10NS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 568 |
BSC060N10NS3 G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2537 |
BSC060N10NS3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5342 |
BSC060N10NS3G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 523 |
BSC060N10NS3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2696 |
BSC060N10NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSC060P03NS3E | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 13423 |
BSC060P03NS3E G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5251 |
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