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BSC037N08NS5ATMA1
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BSC037N08NS5ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 114W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.7m Ω @ 50A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Rise Time | 10ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 26 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Max Dual Supply Voltage | 80V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0037Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
Height | 1.1mm |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Weight | 506.605978mg |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2013 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Number of Channels | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 72μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 40V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 6V 10V |
Fall Time (Typ) | 7 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 22A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 80V |
Max Junction Temperature (Tj) | 150°C |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BSC037N08NS5ATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSC037N08NS5ATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSC03" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSC03'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSC03003NS3G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 50500 |
BSC03008NS3G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 15000 |
BSC0302LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 8223 |
BSC030N03LS | Original | CIs Calientes Especializados | 8530 |
BSC030N03LS G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5430 |
BSC030N03LSG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 18195 |
BSC030N03LSG IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 853 |
BSC030N03LSGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2702 |
BSC030N03LSGATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSC030N03MS | Original | CIs Calientes Especializados | 2036 |
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