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BSC024NE2LSATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 25V 25A 8-Pin TDSON T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 48W Tc
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4m Ω @ 30A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A Ta 100A Tc
Rise Time 3.6ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 19 ns
Threshold Voltage 2V
Max Dual Supply Voltage 25V
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
REACH SVHC No SVHC
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 4.1 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1700pF @ 12V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 2.6 ns
Continuous Drain Current (ID) 25A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.0034Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 40 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'BSC02' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC020N025S infineon/ CIs Calientes Especializados 2518
BSC020N025S G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 19172
BSC020N025S MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1057
BSC020N025SG Infineon CIs Calientes Especializados 3742
BSC020N03LS INFINEON CIs Calientes Especializados 9070
BSC020N03LS G I CIs Calientes Especializados 566
BSC020N03LS G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2563
BSC020N03LS G.. I CIs Calientes Especializados 2500
BSC020N03LSG INFINEO CIs Calientes Especializados 15164
BSC020N03LSG 020N03LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 415

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