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BSC022N04LSATMA1
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BSC022N04LSATMA1 Especificaciones técnicas
BSC022N04LSATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Base Part Number | BSC022N04 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 69W Tc |
Case Connection | DRAIN |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0032Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2m Ω @ 50A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A Tc |
Rise Time | 6.8ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 25A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 40V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 70 mJ |
Lead Free | Contains Lead |
BSC022N04LSATMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSC022N04LSATMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSC02" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSC02'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSC020N025S | infineon/ | CIs Calientes Especializados | 2518 |
BSC020N025S G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 19172 |
BSC020N025S MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1057 |
BSC020N025SG | Infineon | CIs Calientes Especializados | 3742 |
BSC020N03LS | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 9070 |
BSC020N03LS G | I | CIs Calientes Especializados | 566 |
BSC020N03LS G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2563 |
BSC020N03LS G.. | I | CIs Calientes Especializados | 2500 |
BSC020N03LSG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 15164 |
BSC020N03LSG 020N03LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 415 |
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