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BSC019N02KSGAUMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 5
Terminal Finish Tin (Sn)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Qualification Status Not Qualified
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95m Ω @ 50A, 4.5V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Ta 100A Tc
Rise Time 187ns
Vgs (Max) ±12V
Turn-Off Delay Time 95 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 12V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 30A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200A
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.8W Ta 104W Tc
Power Dissipation 104W
Turn On Delay Time 15 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 350μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 13000pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 85nC @ 4.5V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 2.5V 4.5V
Fall Time (Typ) 8 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Max Dual Supply Voltage 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.003Ohm
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'BSC01' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC010N04LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5439
BSC010N04LS MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 529
BSC010N04LS6 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 23941
BSC010N04LS6ATMA1 INFINE0N CIs Calientes Especializados 8533
BSC010N04LSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2717
BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC010N04LSATMA1 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1702
BSC010N04LSCATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2656
BSC010N04LSI International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 21306
BSC010N04LSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2715

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