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BSC014N06NSATMA1 Especificaciones técnicas

Trans MOSFET N-CH 60V 30A 8-Pin TDSON EP T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Cut Tape (CT)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Number of Channels 1
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.45m Ω @ 50A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A Ta 100A Tc
Rise Time 10ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 43 ns
Threshold Voltage 2.8V
Max Dual Supply Voltage 60V
Drain to Source Breakdown Voltage 60V
Max Junction Temperature (Tj) 150°C
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Contact Plating Tin
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 1997
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 156W Tc
Power Dissipation 156W
Turn On Delay Time 23 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 120μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 30V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 89nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 6V 10V
Fall Time (Typ) 11 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 30A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
Height 1.1mm
Lead Free Contains Lead
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Las siguientes partes incluyen  'BSC01' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC010N04LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5439
BSC010N04LS MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 529
BSC010N04LS6 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 23941
BSC010N04LS6ATMA1 INFINE0N CIs Calientes Especializados 8533
BSC010N04LSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2717
BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC010N04LSATMA1 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1702
BSC010N04LSCATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2656
BSC010N04LSI International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 21306
BSC010N04LSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2715

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