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BSC010N04LSIATMA1
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BSC010N04LSIATMA1 Especificaciones técnicas
BSC010N04LSIATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 39 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05m Ω @ 50A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 37A Ta 100A Tc |
Rise Time | 48ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 72 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 37A |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400A |
FET Feature | Schottky Diode (Body) |
Lead Free | Contains Lead |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ULTRA LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Reach Compliance Code | not_compliant |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 139W Tc |
Power Dissipation | 2.5W |
FET Type | N-Channel |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6200pF @ 20V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 17 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 100A |
Max Dual Supply Voltage | 40V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 40V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 230 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
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