BSC010N04LSIATMA1 Especificaciones técnicas

BSC010N04LSIATMA1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 39 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2012
JESD-609 Code e3
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PDSO-F3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.05m Ω @ 50A, 10V
Halogen Free Halogen Free
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A Ta 100A Tc
Rise Time 48ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 37A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 400A
FET Feature Schottky Diode (Body)
Lead Free Contains Lead
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series OptiMOS™
Pbfree Code no
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature ULTRA LOW RESISTANCE
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form FLAT
Reach Compliance Code not_compliant
Pin Count 8
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 2.5W Ta 139W Tc
Power Dissipation 2.5W
FET Type N-Channel
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6200pF @ 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 4.5V 10V
Fall Time (Typ) 17 ns
Continuous Drain Current (ID) 100A
Max Dual Supply Voltage 40V
Drain to Source Breakdown Voltage 40V
Avalanche Energy Rating (Eas) 230 mJ
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC010N04LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5439
BSC010N04LS MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 529
BSC010N04LS6 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 23941
BSC010N04LS6ATMA1 INFINE0N CIs Calientes Especializados 8533
BSC010N04LSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2717
BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC010N04LSATMA1 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1702
BSC010N04LSCATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2656
BSC010N04LSI International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 21306
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