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BSC009NE2LSATMA1
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BSC009NE2LSATMA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 25V 41A 8-Pin TDSON EP T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 8 |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
Published | 2012 |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 5 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Reach Compliance Code | not_compliant |
JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.9m Ω @ 30A, 10V |
Halogen Free | Halogen Free |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 41A Ta 100A Tc |
Rise Time | 33ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 48 ns |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | no |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | FLAT |
Pin Count | 8 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.5W Ta 96W Tc |
Power Dissipation | 2.5W |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250μA |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5800pF @ 12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 126nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 19 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 41A |
Max Dual Supply Voltage | 25V |
Lead Free | Contains Lead |
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-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSC00" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSC00'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSC007N04LS6 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 1726 |
BSC009NE2LE | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 679 |
BSC009NE2LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5429 |
BSC009NE2LS IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3379 |
BSC009NE2LS5 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 164525 |
BSC009NE2LS5 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 17756 |
BSC009NE2LS5ATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2676 |
BSC009NE2LS5ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSC009NE2LS5I | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 10448 |
BSC009NE2LS5IATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2649 |
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