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BSB165N15NZ3GXUMA1
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BSB165N15NZ3GXUMA1 Especificaciones técnicas
Trans MOSFET N-CH 150V 9A 7-Pin WDSON T/R
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 7 |
Operating Temperature | -40°C~150°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e4 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Silver/Nickel (Ag/Ni) |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Terminal Form | NO LEAD |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
JESD-30 Code | R-MBCC-N3 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation-Max | 2.8W Ta 78W Tc |
Power Dissipation | 2.8W |
Turn On Delay Time | 10 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 110μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A Ta 45A Tc |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 17 ns |
Threshold Voltage | 3V |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 9A |
REACH SVHC | No SVHC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 3-WDSON |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Series | OptiMOS™ |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Position | BOTTOM |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
Pin Count | 3 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 8V 10V |
Fall Time (Typ) | 7 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 9A |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 440 mJ |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
BSB165N15NZ3GXUMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSB165N15NZ3GXUMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BSB16" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSB16'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSB165N15NZ3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 25462 |
BSB165N15NZ3 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1071 |
BSB165N15NZ3G | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 803 |
BSB165N15NZ3G IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 5389 |
BSB165N15NZ3GXUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2543 |
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