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BG3130RE6327BTSA1
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BG3130RE6327BTSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET RF |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Obsolete |
Voltage - Rated | 8V |
Current Rating | 25mA |
Base Part Number | BG3130 |
Transistor Type | 2 N-Channel (Dual) |
Noise Figure | 1.3dB |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PG-SOT363-6 |
Published | 2005 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Current Rating (Amps) | 25mA |
Frequency | 800MHz |
Current - Test | 14mA |
Gain | 24dB |
Voltage - Test | 5V |
BG3130RE6327BTSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BG3130RE6327BTSA1
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Hojas de datos
Otros incluyen "BG313" partes
Las siguientes partes incluyen 'BG313'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BG3130 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 28687 |
BG3130 E6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 9165 |
BG3130 E6327 IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3441 |
BG3130 H6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 25350 |
BG3130E6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 74974 |
BG3130E6327HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2673 |
BG3130E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET RF | |
BG3130H6327 | INFONEO | CIs Calientes Especializados | 6000 |
BG3130H6327XTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - RF | 2723 |
BG3130H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET RF |
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