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BG3123H6327XTSA1 Especificaciones técnicas

Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.025A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Min Operating Temperature -55°C
Additional Feature LOW NOISE
Max Power Dissipation 200mW
Current Rating 20mA
Base Part Number BG3123
Operating Mode DUAL GATE, DEPLETION MODE
Transistor Application AMPLIFIER
Continuous Drain Current (ID) 25mA
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test 5V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Number of Terminations 6
Max Operating Temperature 150°C
Voltage - Rated 8V
Current Rating (Amps) 25mA 20mA
Terminal Form GULL WING
Frequency 800MHz
Number of Elements 2
Current - Test 14mA
Transistor Type 2 N-Channel (Dual)
Gain 25dB
Noise Figure 1.8dB
RoHS Status RoHS Compliant
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Las siguientes partes incluyen  'BG312' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BG3123 INFINEO CIs Calientes Especializados 13733
BG3123 E6327 INFINEON CIs Calientes Especializados 13574
BG3123 H6327 Infineon CIs Calientes Especializados 60500
BG3123E6327 INFIneo CIs Calientes Especializados 3118
BG3123E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2615
BG3123E6327HTSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET RF
BG3123H6327 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 3357
BG3123H6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - RF 2750
BG3123R INFINEON CIs Calientes Especializados 5819
BG3123R E6327 INFNE0N CIs Calientes Especializados 18500

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