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BFS 466L6 E6327 Especificaciones técnicas

RF TRANS 2 NPN 5V/9V 14GHZ TSLP

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Discontinued
Subcategory Other Transistors
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 20mA 3V / 90 @ 15mA 3V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 5V 9V
Transition Frequency 11000MHz
Power Dissipation-Max (Abs) 0.21W
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case 6-XFDFN
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2007
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 200mW 210mW
Transistor Type 2 NPN (Dual)
Gain 12dB ~ 17dB
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA 35mA
Frequency - Transition 22GHz 14GHz
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BFS 460L6 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2560
BFS 460L6 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFS 466L6 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2764
BFS 469L6 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2761
BFS 469L6 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFS 481 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2707
BFS 481 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFS 483 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2574
BFS 483 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT RF

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