BFP640FE6327 Especificaciones técnicas

TRANSISTOR NPN RF 4V TSFP-4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT RF
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case 4-SMD, Flat Leads
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2005
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Max Power Dissipation 200mW
Frequency 40GHz
Transistor Type NPN
Max Collector Current 50mA
Collector Emitter Breakdown Voltage 4.5V
Max Breakdown Voltage 4.5V
Emitter Base Voltage (VEBO) 1.2V
Noise Figure (dB Typ @ f) 0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
Length 1.4mm
RoHS Status RoHS Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Obsolete
Voltage - Rated DC 4V
Current Rating 50mA
Base Part Number BFP640
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 110 @ 30mA 3V
Gain 23dB
Collector Base Voltage (VCBO) 13V
Continuous Collector Current 50mA
Height 550μm
Width 800μm
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BFP640 INFINEO CIs Calientes Especializados 23673
BFP640 E6327 Infineo CIs Calientes Especializados 32904
BFP640 E6359 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 12531
BFP640 H6327 Infineo CIs Calientes Especializados 104094
BFP640 L6327 Infineon CIs Calientes Especializados 3794
BFP640E6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 16121
BFP640E6327BTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - RF 2652
BFP640E6327BTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT RF
BFP640ESD Infineo CIs Calientes Especializados 36727
BFP640ESD H6327 Infineo CIs Calientes Especializados 164344

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