BCR183SH6433XTMA1 Especificaciones técnicas

TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Transistor Element Material SILICON
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Terminal Form GULL WING
JESD-30 Code R-PDSO-G6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Max Collector Current 100mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Transition Frequency 200MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 6
Max Power Dissipation 250mW
Reference Standard AEC-Q101
Number of Elements 2
Power - Max 250mW
Polarity/Channel Type PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA 5V
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 10k Ω
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BCR183 INFINEO CIs Calientes Especializados 6249
BCR183 E6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 2346
BCR183 E6327/WMS NA CIs Calientes Especializados 1497
BCR183E6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 2436
BCR183E6327HTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2593
BCR183E6327HTSA1 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR183E6359HTMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2518
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