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BCR183SH6433XTMA1
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BCR183SH6433XTMA1 Especificaciones técnicas
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Matrices de transistores BJT |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Transistor Element Material | SILICON |
Published | 2011 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Additional Feature | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 |
Terminal Form | GULL WING |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 100mA |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500μA, 10mA |
Transition Frequency | 200MHz |
Resistor - Base (R1) | 10k Ω |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 6 |
Max Power Dissipation | 250mW |
Reference Standard | AEC-Q101 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 250mW |
Polarity/Channel Type | PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA 5V |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Frequency - Transition | 200MHz |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10k Ω |
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Hojas de datos
Otros incluyen "BCR18" partes
Las siguientes partes incluyen 'BCR18'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BCR183 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 6249 |
BCR183 E6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2346 |
BCR183 E6327/WMS | NA | CIs Calientes Especializados | 1497 |
BCR183E6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2436 |
BCR183E6327HTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2593 |
BCR183E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Transistores BJT Pre-Biasados | |
BCR183E6359HTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2518 |
BCR183E6359HTMA1 | Infineon Technologies | Transistores BJT Pre-Biasados | |
BCR183E6433HTMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados | 2633 |
BCR183E6433HTMA1 | Infineon Technologies | Transistores BJT Pre-Biasados |
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