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BCR 135L3 E6327 Especificaciones técnicas

TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores BJT Pre-Biasados
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TSLP-3-4
Published 2011
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Power - Max 250mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500μA, 10mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Package / Case SC-101, SOT-883
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Discontinued
Base Part Number BCR135
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA ICBO
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 150MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47 kOhms
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BCR 101L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2668
BCR 101L3 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR 101T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2762
BCR 101T E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR 103F E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2788
BCR 103F E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR 103L3 E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2699
BCR 103L3 E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados
BCR 103T E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - Bipolares (BJT) - Individual, Prepolarizados 2711
BCR 103T E6327 Infineon Technologies Transistores BJT Pre-Biasados

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