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BC849CWH6327XTSA1
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BC849CWH6327XTSA1 Especificaciones técnicas
BC849CWH6327XTSA1 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 25 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Frequency | 250MHz |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 250mW |
Halogen Free | Halogen Free |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 15nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 30V |
Transition Frequency | 250MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 6V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2011 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Max Power Dissipation | 250mW |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | BC849 |
Configuration | SINGLE |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 420 @ 2mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 100mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Collector Base Voltage (VCBO) | 30V |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
BC849CWH6327XTSA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BC849CWH6327XTSA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BC849" partes
Las siguientes partes incluyen 'BC849'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BC849 | ST | CIs Calientes Especializados | 27268 |
BC849-B-RTK | KEC | CIs Calientes Especializados | 81341 |
BC849-C-MTF | SAMSUNG | CIs Calientes Especializados | 15309 |
BC849AMTF | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 36200 |
BC849AMTF | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 9326 |
BC849AMTF | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
BC849AW RFG | TSC (Taiwan Semiconductor) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2654 |
BC849B | NXP | CIs Calientes Especializados | 49400 |
BC849B E6327 | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 3000 |
BC849B,215 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3000 |
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