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BC817K16E6433HTMA1
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BC817K16E6433HTMA1 Especificaciones técnicas
BC817K16E6433HTMA1 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 4 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Terminal Position | DUAL |
Frequency | 170MHz |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 500mW |
Polarity/Channel Type | NPN |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 45V |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Collector Base Voltage (VCBO) | 50V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2011 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 3 |
Max Power Dissipation | 500mW |
Terminal Form | GULL WING |
Base Part Number | BC817 |
Configuration | SINGLE |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Type | NPN |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 45V |
Transition Frequency | 170MHz |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Lead Free | Lead Free |
BC817K16E6433HTMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BC817K16E6433HTMA1
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BC817" partes
Las siguientes partes incluyen 'BC817'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BC817 | NXP/NEX | CIs Calientes Especializados | 120385 |
BC817 6B | CJ | CIs Calientes Especializados | 4997 |
BC817 6C | ON | CIs Calientes Especializados | 3359 |
BC817,215 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 15000 |
BC817,215 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
BC817,235 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2788 |
BC817,235 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
BC817-13 | UTC | CIs Calientes Especializados | 5600 |
BC817-16 | Diodes Incorporated | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2333 |
BC817-16 | Rochester Electronics, LLC | Transistores BJT individuales |
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