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BC 807-25 E6327 Especificaciones técnicas
BC 807-25 E6327 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores BJT individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Surface Mount | YES |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2007 |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 3 |
Terminal Finish | Matte Tin (Sn) |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 40 |
JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
Number of Elements | 1 |
Power - Max | 330mW |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA ICBO |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
Transition Frequency | 200MHz |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.33W |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | Other Transistors |
Terminal Form | GULL WING |
Reach Compliance Code | compliant |
Base Part Number | BC807 |
Qualification Status | Not Qualified |
Configuration | SINGLE |
Polarity/Channel Type | PNP |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 100mA 1V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Frequency - Transition | 200MHz |
RoHS Status | RoHS Compliant |
BC 807-25 E6327 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BC 807-25 E6327
-
Hojas de datos
Otros incluyen "BC 80" partes
Las siguientes partes incluyen 'BC 80'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BC 807 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Especializados | 5000 |
BC 807-16 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2754 |
BC 807-16 E6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT individuales | |
BC 807-16 E6433 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2616 |
BC 807-16 E6433 | Infineon Technologies | Transistores BJT individuales | |
BC 807-16W E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2613 |
BC 807-16W E6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT individuales | |
BC 807-16W H6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2779 |
BC 807-16W H6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT individuales | |
BC 807-25 B5003 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2670 |
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