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AUIRLR3636 Especificaciones técnicas
AUIRLR3636 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Infineon Technologies stock available at Bonchip
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Resistance | 6.8MOhm |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 143W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.8m Ω @ 50A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3779pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 4.5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4.5V 10V |
Fall Time (Typ) | 69 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 50A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 99A |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2011 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | AUIRLR3636 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 143W |
Turn On Delay Time | 45 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A Tc |
Rise Time | 216ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 43 ns |
Threshold Voltage | 1V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 60V |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
AUIRLR3636 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para AUIRLR3636
-
Hojas de datos
Otros incluyen "AUIRL" partes
Las siguientes partes incluyen 'AUIRL'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
AUIRL1404S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4775 |
AUIRL1404STRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2676 |
AUIRL1404STRL IC | IR | CIs Calientes Especializados | 16035 |
AUIRL1404Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4000 |
AUIRL1404Z | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
AUIRL1404ZL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2782 |
AUIRL1404ZL | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
AUIRL1404ZS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2623 |
AUIRL1404ZS | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
AUIRL1404ZSTRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 830 |
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