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AUIRLR024N Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2006 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 45W |
Turn On Delay Time | 7.1 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A Tc |
Rise Time | 74ns |
Vgs (Max) | ±16V |
Turn-Off Delay Time | 20 ns |
Threshold Voltage | 1V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 16V |
Drain to Source Breakdown Voltage | 55V |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 68 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Obsolete |
Number of Terminations | 2 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 45W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65m Ω @ 10A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 5V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 4V 10V |
Fall Time (Typ) | 29 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 17A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain-source On Resistance-Max | 0.08Ohm |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 72A |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Lead Free | Lead Free |
AUIRLR024N Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para AUIRLR024N
-
Hojas de datos
Otros incluyen "AUIRL" partes
Las siguientes partes incluyen 'AUIRL'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
AUIRL1404S | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4775 |
AUIRL1404STRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2676 |
AUIRL1404STRL IC | IR | CIs Calientes Especializados | 16035 |
AUIRL1404Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4000 |
AUIRL1404Z | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
AUIRL1404ZL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2782 |
AUIRL1404ZL | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
AUIRL1404ZS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2623 |
AUIRL1404ZS | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
AUIRL1404ZSTRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 830 |
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