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AUIRFR2607Z Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales |
Manufacturer | Infineon Technologies |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 26 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Series | HEXFET® |
Part Status | Discontinued |
Number of Terminations | 2 |
Additional Feature | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Power Dissipation-Max | 110W Tc |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Case Connection | DRAIN |
FET Type | N-Channel |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22m Ω @ 30A, 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1440pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Fall Time (Typ) | 28 ns |
Continuous Drain Current (ID) | 45A |
JEDEC-95 Code | TO-252AA |
Drain Current-Max (Abs) (ID) | 42A |
Drain to Source Breakdown Voltage | 75V |
Height | 2.39mm |
Width | 6.22mm |
REACH SVHC | No SVHC |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Operating Temperature | -55°C~175°C TJ |
Published | 2010 |
JESD-609 Code | e3 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | FET General Purpose Power |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Number of Elements | 1 |
Element Configuration | Single |
Power Dissipation | 110W |
Turn On Delay Time | 14 ns |
Transistor Application | SWITCHING |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 50μA |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 42A Tc |
Rise Time | 59ns |
Vgs (Max) | ±20V |
Turn-Off Delay Time | 39 ns |
Threshold Voltage | 2V |
Gate to Source Voltage (Vgs) | 20V |
Drain-source On Resistance-Max | 0.022Ohm |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 96 mJ |
Length | 6.73mm |
Radiation Hardening | No |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
AUIRFR2607Z Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para AUIRFR2607Z
-
Hojas de datos
Otros incluyen "AUIRF" partes
Las siguientes partes incluyen 'AUIRF'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
AUIRF1010EZ | IR | CIs Calientes Especializados | 24880 |
AUIRF1010EZS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 50000 |
AUIRF1010EZSTRL | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2635 |
AUIRF1010EZSTRL | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
AUIRF1010S | IR | CIs Calientes Especializados | 6300 |
AUIRF1010Z | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18500 |
AUIRF1010Z | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
AUIRF1010ZL | IR | CIs Calientes Especializados | 9480 |
AUIRF1010ZS | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 14325 |
AUIRF1010ZS | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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