AUIRFL024NTR Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Transistores MOSFET individuales
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 9 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 4
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Terminal Form GULL WING
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Case Connection DRAIN
FET Type N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75m Ω @ 2.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Drive Voltage (Max Rds On,Min Rds On) 10V
Fall Time (Typ) 17.7 ns
Continuous Drain Current (ID) 2.8A
Drain Current-Max (Abs) (ID) 0.0028A
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
REACH SVHC No SVHC
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 4
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Position DUAL
Number of Elements 1
Power Dissipation-Max 1W Ta
Power Dissipation 1W
Turn On Delay Time 8.1 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A Ta
Rise Time 13.4ns
Vgs (Max) ±20V
Turn-Off Delay Time 22.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain-source On Resistance-Max 0.075Ohm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AUIRF1010EZ IR CIs Calientes Especializados 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
AUIRF1010S IR CIs Calientes Especializados 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
AUIRF1010ZL IR CIs Calientes Especializados 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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