AUIRF7341QTR Especificaciones técnicas

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Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 10 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~175°C TJ
Published 2011
Part Status Not For New Designs
Number of Terminations 8
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Max Power Dissipation 2.4W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Turn On Delay Time 9.2 ns
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Turn-Off Delay Time 31 ns
Threshold Voltage 1V
Drain-source On Resistance-Max 0.05Ohm
Avalanche Energy Rating (Eas) 140 mJ
FET Feature Logic Level Gate
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series Automotive, AEC-Q101, HEXFET®
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory FET General Purpose Power
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2.4W
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50m Ω @ 5.1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 780pF @ 25V
Rise Time 7.7ns
Fall Time (Typ) 12.5 ns
Continuous Drain Current (ID) 5.1A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 55V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AUIRF1010EZ IR CIs Calientes Especializados 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
AUIRF1010S IR CIs Calientes Especializados 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
AUIRF1010ZL IR CIs Calientes Especializados 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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