AUIRF7319QTR Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Semiconductores Discretos / Matrices de transistores MOSFETs
Manufacturer Infineon Technologies
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 26 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 8
Operating Temperature -55°C~150°C TJ
Published 2011
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Additional Feature AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
Max Power Dissipation 2W
Number of Elements 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
FET Type N and P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29m Ω @ 5.8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Continuous Drain Current (ID) 4.9A
Gate to Source Voltage (Vgs) 20V
Drain to Source Breakdown Voltage 30V
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Nominal Vgs 1 V
Length 5mm
Radiation Hardening No
RoHS Status ROHS3 Compliant
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
Series HEXFET®
Part Status Obsolete
Number of Terminations 8
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Subcategory Other Transistors
Terminal Form GULL WING
Element Configuration Dual
Power Dissipation 2W
Transistor Application SWITCHING
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.5A 4.9A
Polarity/Channel Type N-CHANNEL AND P-CHANNEL
Threshold Voltage 1V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 6.5A
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30A
FET Feature Logic Level Gate
Height 1.5mm
Width 4mm
REACH SVHC No SVHC
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
AUIRF1010EZ IR CIs Calientes Especializados 24880
AUIRF1010EZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50000
AUIRF1010EZSTRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2635
AUIRF1010EZSTRL Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
AUIRF1010S IR CIs Calientes Especializados 6300
AUIRF1010Z International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18500
AUIRF1010Z Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
AUIRF1010ZL IR CIs Calientes Especializados 9480
AUIRF1010ZS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 14325
AUIRF1010ZS Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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