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MUBW50-12E8 Especificaciones técnicas

MODULE IGBT CBI E3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package E3
Package / Case E3
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 3.8nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) 90A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
Power - Max 350W
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Three Phase Bridge Rectifier
Current - Collector Cutoff (Max) 800µA
Configuration Three Phase Inverter with Brake
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MUBW50-06A7 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 2841
MUBW50-06A7 IXYS Módulos IGBT
MUBW50-06A8 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 2994
MUBW50-06A8 IXYS Módulos IGBT
MUBW50-06T7 IXYS Módulos IGBT 2672
MUBW50-12A8 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 1348
MUBW50-12A8 IXYS Módulos IGBT
MUBW50-12E8 IXYS Módulos IGBT
MUBW50-12T7 IXYS Módulos IGBT 2752
MUBW50-12T8 IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 2782

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