MIXA10WB1200TED Especificaciones técnicas

IGBT MODULE 1200V 12A HEX

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package E2
Package / Case E2
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce -
IGBT Type PT
Current - Collector (Ic) (Max) 17A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 9A
Power - Max 60W
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Input Three Phase Bridge Rectifier
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
Configuration Three Phase Inverter with Brake
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
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MIXA100W1200TEH IXYS Corporation Transistores - IGBTs - Módulos 2646
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