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MIO1200-33E10
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MIO1200-33E10 Especificaciones técnicas
MOD IGBT SGL SWITCH 3300V E10
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3300V |
Supplier Device Package | E10 |
Package / Case | E10 |
NTC Thermistor | No |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 187nF @ 25V |
IGBT Type | NPT |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1200A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 1200A |
Power - Max | - |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Current - Collector Cutoff (Max) | 120mA |
Configuration | Single Switch |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para MIO1200-33E10
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Hojas de datos
MIO1200-33E10.pdf
Otros incluyen "MIO12" partes
Las siguientes partes incluyen 'MIO12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MIO1200-25E10 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Módulos | 2752 |
MIO1200-25E10 | IXYS | Módulos IGBT | |
MIO1200-33E10 | IXYS | Módulos IGBT | |
MIO1200-33E11 | IXYS Corporation | Transistores - IGBTs - Módulos | 2616 |
MIO1200-33E11 | IXYS | Módulos IGBT |
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