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IXXQ30N60B3M
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IXXQ30N60B3M Especificaciones técnicas
IGBT
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 400V, 24A, 10 Ohm, 15V |
Switching Energy | 550µJ (on), 800µJ (off) |
Series | XPT™, GenX3™ |
Power - Max | 90W |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Manufacturer Standard Lead Time | 24 Weeks |
IGBT Type | - |
Detailed Description | IGBT 600V 33A 90W Through Hole TO-3P |
Current - Collector (Ic) (Max) | 33A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 24A |
Td (on/off) @ 25°C | 23ns/150ns |
Supplier Device Package | TO-3P |
Reverse Recovery Time (trr) | 36ns |
Package / Case | TO-3P-3 Full Pack |
Mounting Type | Through Hole |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 39nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 140A |
IXXQ30N60B3M Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXXQ30N60B3M
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Hojas de datos
IXXQ30N60B3M.pdf
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXXQ30N60B3M | IXYS | IGBTs individuales |
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