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IXTY2N80P
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IXTY2N80P Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 800V 2A TO-252AA
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Supplier Device Package | TO-252, (D-Pak) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | PolarHV™ |
Power Dissipation (Max) | 70W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTY2N80P
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTY2" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTY2'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTY24N15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
IXTY26P10T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 18949 |
IXTY2N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
IXTY2N100P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTY2N60P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
IXTY2N65X2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2636 |
IXTY2R4N50P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
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