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IXTY12N06T
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IXTY12N06T Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 12A TO-252
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 25µA |
Supplier Device Package | TO-252 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 6A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 256pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | TrenchMV™ |
Power Dissipation (Max) | 33W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTY1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTY1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTY10P15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
IXTY12N06TTRL | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2520 |
IXTY15N20T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
IXTY15P15T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1392 |
IXTY18P10T | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 68500 |
IXTY1N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2623 |
IXTY1N120P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1416 |
IXTY1N80 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2614 |
IXTY1N80P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 33365 |
IXTY1R4N100P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 32363 |
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