IXTY12N06T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 12A TO-252

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 25µA
Supplier Device Package TO-252
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 256pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchMV™
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.4nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTY10P15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTY12N06TTRL IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2520
IXTY15N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
IXTY15P15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1392
IXTY18P10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 68500
IXTY1N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2623
IXTY1N120P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1416
IXTY1N80 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2614
IXTY1N80P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33365
IXTY1R4N100P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363

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