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IXTX22N100L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1000V 22A PLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 11A, 20V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package PLUS247™-3
Power Dissipation (Max) 700W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 15V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTX200N10L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3789
IXTX200N10L2 IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTX20N150 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2752
IXTX210P10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2513
IXTX240N075L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4322
IXTX24N100 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3799
IXTX24N100 IXYS Transistores MOSFET individuales

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