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IXTX17N120L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1200V 17A PLUS247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package PLUS247™-3
Power Dissipation (Max) 700W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 155nC @ 15V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900 mOhm @ 8.5A, 20V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTX102N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2622
IXTX110N20L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2529
IXTX120N65X2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2790
IXTX120P20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2643
IXTX170P10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2618
IXTX1R4N450HV IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2737

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