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IXTV30N60P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package PLUS220
Rds On (Max) @ Id, Vgs 240 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5050pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 540W (Tc)
Package / Case TO-220-3, Short Tab
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 82nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 30A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXTV3' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTV30N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
IXTV30N50PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2580
IXTV30N60PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2590
IXTV36N50P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2736
IXTV36N50PS IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2746

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