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IXTT82N25P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 82A TO-268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 500W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 142nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35 mOhm @ 41A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 82A (Tc)
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Otros incluyen   "IXTT8"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTT8' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTT80N20L IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2517
IXTT88N15 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2532
IXTT88N30P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2793
IXTT8P50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2525

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