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IXTT1N100
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IXTT1N100 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-268
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | IXYS Corporation |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 25µA |
Supplier Device Package | TO-268 |
Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
Package / Case | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 Ohm @ 1A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000V (1kV) |
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTT1N100
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IXTT1" partes
Las siguientes partes incluyen 'IXTT1'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IXTT100N25P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2537 |
IXTT100N25P | IXYS | Transistores MOSFET individuales | |
IXTT10N100D | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2771 |
IXTT10N100D2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5555 |
IXTT10P50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2731 |
IXTT10P60 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2508 |
IXTT110N10L2 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2511 |
IXTT110N10P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2792 |
IXTT11P50 | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4784 |
IXTT120N15P | IXYS Corporation | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2734 |
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