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IXTT12N140 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 1400V 12A TO268

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-268
Power Dissipation (Max) 890W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3720pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 1400V (1.4kV)
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IXTT12N140 Documentos

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Las siguientes partes incluyen  'IXTT1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTT100N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2537
IXTT100N25P IXYS Transistores MOSFET individuales
IXTT10N100D IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2771
IXTT10N100D2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5555
IXTT10P50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2731
IXTT10P60 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2508
IXTT110N10L2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2511
IXTT110N10P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2792
IXTT11P50 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4784
IXTT120N15P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2734

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