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IXTP75N10P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 75A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHT™
Power Dissipation (Max) 360W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2250pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IXTP7' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTP70N075T2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 55020
IXTP70N085T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50399
IXTP72N20T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33580
IXTP74N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 33537
IXTP75N10P MOS IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 22938
IXTP76N075T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 573
IXTP76N15T2 IXYS CIs Calientes Especializados 2570
IXTP76N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2527
IXTP76P10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2501
IXTP7N45 IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 17888

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