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IXTP4N80P Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 3.5A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 100µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 750pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PolarHV™
Power Dissipation (Max) 100W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.2nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
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IXTP4N80P Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IXTP4N80P

Otros incluyen   "IXTP4"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IXTP4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IXTP42N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3153
IXTP42N25P IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 644
IXTP44N10T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5037
IXTP44N15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4600
IXTP44N25T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2575
IXTP44N30T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2567
IXTP44P15T IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2521
IXTP450P2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2679
IXTP460P2 IXYS Corporation Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 625
IXTP48N05T IXYS Corporation CIs Calientes Especializados 381

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